参数资料
型号: IXTA220N04T2-7
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 40V 220A TO-263-7
产品目录绘图: TO-263-7 Package
标准包装: 50
系列: TrenchT2™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 220A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.5 毫欧 @ 50A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 112nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 6820pF @ 25V
功率 - 最大: 360W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB
供应商设备封装: TO-263-7
包装: 管件
IXTA220N04T2-7
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
220
200
180
V GS = 15V
10V
9V
8V
350
300
V GS = 15V
10V
9V
8V
160
140
250
7V
120
100
7V
200
150
80
60
40
20
0
6V
5V
100
50
0
6V
5V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 110A Value
vs. Junction Temperature
220
200
180
V GS = 15V
10V
9V
8V
2.0
1.8
V GS = 10V
160
140
7V
1.6
I D = 220A
I D = 110A
120
1.4
100
80
60
40
20
0
6V
5V
1.2
1.0
0.8
0.6
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
2.2
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 110A Value
vs. Drain Current
180
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
2.0
1.8
V GS = 10V
15V - - - -
T J = 175oC
160
140
External Lead Current Limit
120
1.6
1.4
100
80
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
60
40
20
0
0
40
80
120
160
200
240
280
320
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
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PDF描述
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IXTA220N075T7 功能描述:MOSFET 220 Amps 75V 4.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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