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参数资料
| 型号： | IXTA220N04T2-7 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 220A TO-263-7 |
| 产品目录绘图： | TO-263-7 Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 220A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 112nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6820pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB |
| 供应商设备封装： | TO-263-7 |
| 包装： | 管件 |
IXTA220N04T2-7
28
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
28
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
27
26
25
24
23
R G = 3.3 ?
V GS = 10V
V DS = 20V
27
26
25
24
T J = 125oC
R G = 3.3 ?
V GS = 10V
V DS = 20V
22
21
I
D
= 110A
23
22
20
19
I
D
= 220A
21
T J = 25oC
18
17
16
20
19
18
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
130
70
36
42
120
110
100
90
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 20V
65
60
55
50
34
32
30
28
t f t d(off) - - - -
R G = 3.3 ? , V GS = 10V
V DS = 20V
40
38
36
34
80
70
60
50
40
30
I D = 220A, 110A
45
40
35
30
25
20
26
24
22
20
18
I D = 220A
I D = 110A
32
30
28
26
24
20
10
0
15
10
5
16
14
12
22
20
18
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
42
50
200
200
38
34
30
26
22
t f t d(off) - - - -
R G = 3.3 ? , V GS = 10V
V DS = 20V
T J = 125oC
46
42
38
34
30
180
160
140
120
100
80
60
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 20V
I D = 110A
180
160
140
120
100
80
60
40
40
18
26
20
I
D
= 220A
20
14
40
60
80
100
120
140
T J = 25oC
160
180
22
200
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
R G - Ohms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IXTA220N055T7 | 功能描述:MOSFET 220 Amps 55V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IXTA220N075T7 | 功能描述:MOSFET 220 Amps 75V 4.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA230N075T2 | 功能描述:MOSFET 230 Amps 75V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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