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参数资料
| 型号： | IXTA300N04T2-7 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 300A TO-263 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 300A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.5 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 145nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA |
| 供应商设备封装： | TO-263-7 |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
Trench T2 TM
Power MOSFET
IXTA300N04T2-7
V DSS
I D25
R DS(on)
= 40V
= 300A
≤ 2.5m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-263 (7-lead)
Symbol
V DSS
V DGR
V GSM
I D25
I LRMS
I DM
I A
E AS
P D
T J
T JM
T stg
T L
T sold
Weight
Test Conditions
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C, R GS = 1M Ω
Transient
T C = 25 ° C
Lead Current Limit, RMS
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062in.) from case for 10s
Plastic body for 10 seconds
Maximum Ratings
40
40
± 20
300
160
900
100
600
480
-55 ... +175
175
-55 ... +175
300
260
3
V
V
V
A
A
A
A
mJ
W
° C
° C
° C
° C
° C
g
1
7
(TAB)
Pins: 1 - Gate
2, 3 - Source
5,6,7 - Source
TAB (8) - Drain
Features
International standard package
175 ° C Operating Temperature
Avalanche rated
High current handling capability
Low R DS(on)
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
BV DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = 0V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS
V GS = 0V T J = 150 ° C
V GS = 10V, I D = 50A, Notes 1, 2
40
2.0
V
4.0 V
± 200 nA
5 μ A
150 μ A
2.5 m Ω
Applications
? Synchronous Buck Converters
? High Current Switching Power
Supplies
? Battery Powered Electric Motors
? Resonant-mode power supplies
? Electronics Ballast Application
? Class D Audio Amplifiers
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS100072(11/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA32N20T | MOSFET N-CH 200V 32A TO-263 |
| IXTA36N30P | MOSFET N-CH 300V 36A TO-263 |
| IXTA3N100D2 | MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK |
| IXTA3N120 | MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-263 |
| IXTA3N50D2 | MOSFET N-CH 500V 3A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA32N20T | 功能描述:MOSFET 32 Amps 200V 78 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA32P05T | 功能描述:MOSFET 32 Amps 50V 0.036 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA32P20T | 功能描述:MOSFET TenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA36N20T | 功能描述:MOSFET 36 Amps 200V 60 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA36N30P | 功能描述:MOSFET MOSFET N-CH 300V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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