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参数资料
| 型号： | IXTA3N100D2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 耗尽模式 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.5 欧姆 @ 1.5A，0V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 37.5nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1020pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 125W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AA |
| 包装： | 管件 |
Depletion Mode
MOSFETs
IXTA3N100D2
IXTP3N100D2
V DSX
I D(on)
R DS(on)
=
>
≤
1000V
3A
6 Ω
N-Channel
TO-263 AA (IXTA)
Symbol
V DSX
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
Maximum Ratings
1000
V
G
S
D (Tab)
V GSX
Continuous
± 20
V
V GSM
P D
Transient
T C = 25 ° C
± 30
125
V
W
TO-220AB (IXTP)
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
- 55 ... +150
150
- 55 ... +150
300
260
° C
° C
° C
° C
° C
G
DS
D (Tab)
M d
Weight
Mounting Torque (TO-220)
TO-263
TO-220
1.13 / 10
2.5
3.0
Nm/lb.in.
g
g
G = Gate
S = Source
D = Drain
Tab = Drain
Features
? Normally ON Mode
? International Standard Packages
? Molding Epoxies Meet UL 94 V-0
Flammability Classification
Advantages
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
? Easy to Mount
? Space Savings
BV DSX
V GS = - 5V, I D = 250 μ A
1000
V
? High Power Density
V GS(off)
V DS = 25V, I D = 250 μ A
- 2.5
- 4.5
V
I GSX
V GS = ± 20V, V DS = 0V
± 100 nA
Applications
I DSX(off)
R DS(on)
I D(on)
V DS = V DSX , V GS = - 5V
V GS = 0V, I D = 1.5A, Note 1
V GS = 0V, V DS = 50V, Note 1
T J = 125 ° C
3
5 μ A
50 μ A
6 Ω
A
?
?
?
?
?
?
Audio Amplifiers
Start-Up Circuits
Protection Circuits
Ramp Generators
Current Regulators
Active Loads
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100184C(05/11)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA3N120 | MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-263 |
| IXTA3N50D2 | MOSFET N-CH 500V 3A D2PAK |
| IXTA3N60P | MOSFET N-CH 600V 3A D2-PAK |
| IXTA48N20T | MOSFET N-CH 200V 48A TO-263 |
| IXTA50N25T | MOSFET N-CH 250V 50A TO-263 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA3N100P | 功能描述:MOSFET 3 Amps 1000V 4.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA3N110 | 功能描述:MOSFET 3 Amps 1100V 4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA3N110TRL | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:IXTA Series Single N-Channel 1200 V 4 Ohm 150 W Power Mosfet - TO-263 |
| IXTA3N120 | 功能描述:MOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA3N120TRL | 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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