- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录460 > IXTA48N20T (IXYS)MOSFET N-CH 200V 48A TO-263 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXTA48N20T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 48A TO-263 |
| 产品目录绘图： | TO-263 Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Trench™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 48A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 24A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3090pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 250W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
Trench TM
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Rectifier
IXTA48N20T
IXTP48N20T
IXTQ48N20T
V DSS = 200V
I D25 = 48A
R DS(on) ≤ 50m Ω
TO-263 AA (IXTA)
G
S
D (Tab)
Symbol
V DSS
V DGR
V GSM
Test Conditions
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C, R GS = 1M Ω
Transient
Maximum Ratings
200
200
± 30
V
V
V
TO-220AB (IXTP)
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
48
130
A
A
G
DS
D (Tab)
D (Tab)
I A
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
F C
M d
Weight
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 175 ° C
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10 seconds
Mounting Force (TO-263)
Mounting Torque (TO-220 & TO-3P)
TO-263
TO-220
TO-3P
5
500
3
250
-55 ... +175
175
-55 ... +175
300
260
10..65/2.2..14.6
1.13/10
2.5
3.0
5.5
A
mJ
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
° C
Nm/lb.in
Nm/lb.in
g
g
g
TO-3P (IXTQ)
G
D
S
G = Gate D = Drain
S = Source Tab = Drain
Features
High Current Handling Capability
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Rectifier
Low R DS(on)
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Advantages
Easy to Mount
BV DSS
V GS(th)
V GS = 0V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 250 μ A
200
2.5
4.5
V
V
Space Savings
High Power Density
I GSS
V GS = ± 20V, V DS = 0V
± 100 nA
Applications
I DSS
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 150 ° C
5 μ A
250 μ A
DC-DC Converters
Battery Chargers
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
40
50 m Ω
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
DC Choppers
AC Motor Drives
Uninterruptible Power Supplies
High Speed Power Switching
Applications
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99948A(02/10)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA50N25T | MOSFET N-CH 250V 50A TO-263 |
| IXTA5N60P | MOSFET N-CH 600V 5A D2-PAK |
| IXTA60N10T | MOSFET N-CH 100V 60A TO-263 |
| IXTA6N50D2 | MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK |
| IXTA6N50P | MOSFET N-CH 500V 6A D2-PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA48P05T | 功能描述:MOSFET TenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA4N60P | 功能描述:MOSFET 4.0 Amps 600 V 1.9 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA4N80P | 功能描述:MOSFET 3.5 Amps 800V 3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA50N20P | 功能描述:MOSFET 50 Amps 200V 0.06 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA50N25T | 功能描述:MOSFET 50 Amps 250V 50 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。