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参数资料
| 型号： | IXTA48N20T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 48A TO-263 |
| 产品目录绘图： | TO-263 Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Trench™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 48A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 24A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3090pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 250W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
IXTA48N20T IXTP48N20T
IXTQ48N20T
32
Fig. 13. Resistive Turn-on Rise Time
vs. Junction Temperature
34
Fig. 14. Resistive Turn-on Rise Time
vs. Drain Current
28
24
I D = 48A
R G = 5 ? , V GS = 15V
V DS = 100V
30
26
R G = 5 ? , V GS = 15V
V DS = 100V
T J = 25oC
22
20
I D = 24A
18
16
14
12
8
10
6
T J = 125oC
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
10
15
20
25
30
35
40
45
50
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on Switching Times
vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off Switching Times
vs. Junction Temperature
22
22
38
62
20
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 15V
21
36
34
t f t d(off) - - - -
R G = 5 ? , V GS = 15V
60
58
18
V DS = 100V
I D = 48A
20
32
30
V DS = 100V
I D = 24A
56
54
16
14
I D = 24A
19
18
28
26
24
52
50
48
12
17
22
I D = 48A
46
20
44
10
16
18
42
4
6
8
10
12
14
16
18
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off Switching Times
vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off Switching Times
vs. Gate Resistance
32
68
66
160
30
28
26
24
t f t d(off) - - - -
R G = 5 ? , V GS = 15V
V DS = 100V
T J = 25oC
T J = 125oC
64
60
56
52
58
50
42
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 15V
V DS = 100V
I D = 24A
I D = 48A
140
120
100
22
T J = 125oC
48
34
80
20
18
T J = 25oC
44
40
26
18
60
40
10
15
20
25
30
35
40
45
50
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I D - Amperes
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
R G - Ohms
IXYS REF: T_48N20T(4W)02-12-10-A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA50N25T | MOSFET N-CH 250V 50A TO-263 |
| IXTA5N60P | MOSFET N-CH 600V 5A D2-PAK |
| IXTA60N10T | MOSFET N-CH 100V 60A TO-263 |
| IXTA6N50D2 | MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK |
| IXTA6N50P | MOSFET N-CH 500V 6A D2-PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA48P05T | 功能描述:MOSFET TenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA4N60P | 功能描述:MOSFET 4.0 Amps 600 V 1.9 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA4N80P | 功能描述:MOSFET 3.5 Amps 800V 3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA50N20P | 功能描述:MOSFET 50 Amps 200V 0.06 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA50N25T | 功能描述:MOSFET 50 Amps 250V 50 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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