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参数资料
| 型号： | IXTA3N100D2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 耗尽模式 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.5 欧姆 @ 1.5A，0V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 37.5nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1020pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 125W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AA |
| 包装： | 管件 |
IXTA3N100D2
IXTP3N100D2
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
TO-263 Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
V DS = 30V, I D = 1.5A, Note 1
V GS = -10V, V DS = 25V, f = 1MHz
1.2
2.0
1020
68
17
S
pF
pF
pF
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Resistive Switching Times
V GS = ± 5V, V DS = 500V, I D = 1.5A
R G = 3.3 Ω (External)
27
67
34
40
37.5
ns
ns
ns
ns
nC
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
Bottom
Side
Q gs
V GS = 5V, V DS = 500V, I D = 1.5A
4.4
nC
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
Q gd
R thJC
21.2
nC
1.0 ° C/W
A
b
b2
c
4.06
0.51
1.14
0.40
4.83
0.99
1.40
0.74
.160
.020
.045
.016
.190
.039
.055
.029
R thCS
TO-220
0.50
° C/W
c2
D
1.14
8.64
1.40
9.65
.045
.340
.055
.380
D1
E
E1
8.00
9.65
6.22
8.89
10.41
8.13
.280
.380
.270
.320
.405
.320
Safe-Operating-Area Specification
Symbol Test Conditions
SOA V DS = 800V, I D = 94mA, T C = 75 ° C, Tp = 5s
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
75
W
e
L
L1
L2
L3
L4
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.13
.100
.575
.090
.040
.050
0
BSC
.625
.110
.055
.070
.005
TO-220 Outline
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
V SD
t rr
I RM
Q RM
I F = 3A, V GS = -10V, Note 1
I F = 3A, -di/dt = 100A/ μ s
V R = 100V, V GS = -10V
0.8
970
12.7
6.16
1.3
V
ns
A
μ C
Note 1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle, d ≤ 2%.
Pins:
1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA3N120 | MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-263 |
| IXTA3N50D2 | MOSFET N-CH 500V 3A D2PAK |
| IXTA3N60P | MOSFET N-CH 600V 3A D2-PAK |
| IXTA48N20T | MOSFET N-CH 200V 48A TO-263 |
| IXTA50N25T | MOSFET N-CH 250V 50A TO-263 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA3N100P | 功能描述:MOSFET 3 Amps 1000V 4.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA3N110 | 功能描述:MOSFET 3 Amps 1100V 4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA3N110TRL | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:IXTA Series Single N-Channel 1200 V 4 Ohm 150 W Power Mosfet - TO-263 |
| IXTA3N120 | 功能描述:MOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA3N120TRL | 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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