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参数资料
| 型号： | IXTA3N100D2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 耗尽模式 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.5 欧姆 @ 1.5A，0V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 37.5nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1020pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 125W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AA |
| 包装： | 管件 |
IXTA3N100D2
IXTP3N100D2
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
Fig. 7. Normalized R DS(on) vs. Junction Temperature
V GS = 0V
I D = 1.5A
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
Fig. 8. R DS(on) Normalized to I D = 1.5A Value
vs. Drain Current
V GS = 0V
5V - - - -
T J = 125oC
T J = 25oC
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
4.5
T J - Degrees Centigrade
Fig. 9. Input Admittance
4.0
I D - Amperes
Fig. 10. Transconductance
4.0
V DS = 30V
3.5
V DS = 30V
T J = - 40oC
3.5
3.0
3.0
2.5
25oC
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
T J = 125oC
25oC
- 40oC
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
125oC
-4.0
-3.5
-3.0
-2.5
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
1.3
V GS - Volts
Fig. 11. Breakdown and Threshold Voltages
vs. Junction Temperature
10
I D - Amperes
Fig. 12. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
9
V GS = -10V
1.2
1.1
V GS(off) @ V DS = 25V
BV DSX @ V GS = - 5V
8
7
6
5
1.0
0.9
0.8
4
3
2
1
0
T J = 125oC
T J = 25oC
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
T J - Degrees Centigrade
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V SD - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA3N120 | MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-263 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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