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参数资料
| 型号： | IXTA3N100D2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 耗尽模式 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.5 欧姆 @ 1.5A，0V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 37.5nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1020pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 125W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AA |
| 包装： | 管件 |
IXTA3N100D2
IXTP3N100D2
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
3.0
2.5
2.0
V GS = 5V
2V
1V
0V
7
6
5
V GS = 5V
2V
1V
0V
4
1.5
-1V
1.0
3
2
-1V
0.5
- 2V
1
- 2V
- 3V
0.0
0
0
2
4
6
8
10
12
14
0
10
20
30
40
50
3.0
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
V GS = 5V
1.E+00
V DS - Volts
Fig. 4. Drain Current @ T J = 25oC
V GS = - 3.00V
2.5
1V
0V
1.E-01
- 3.25V
2.0
1.5
-1V
1.E-02
1.E-03
1.E-04
- 3.50V
- 3.75V
- 4.00V
1.0
0.5
0.0
- 2V
- 3V
1.E-05
1.E-06
1.E-07
- 4.25V
- 4.50V
0
5
10
15
20
25
30
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000 1100 1200
1.E+00
V DS - Volts
Fig. 5. Drain Current @ T J = 100oC
1.E+10
V DS - Volts
Fig. 6. Dynamic Resistance vs. Gate Voltage
1.E-01
V GS = - 3.25V
- 3.50V
1.E+09
1.E+08
? V DS = 700V - 100V
1.E-02
- 3.75V
1.E+07
1.E-03
1.E-04
- 4.00V
- 4.25V
1.E+06
1.E+05
T J = 100oC
T J = 25oC
1.E-05
- 4.50V
1.E+04
1.E+03
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000 1100 1200
-4.6
-4.4
-4.2
-4.0
-3.8
-3.6
-3.4
-3.2
-3.0
-2.8
V DS - Volts
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
V GS - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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