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参数资料
| 型号： | IXTA32N20T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 32A TO-263 |
| 产品目录绘图： | TO-263 Package |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 72 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 38nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1760pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AA |
| 包装： | 管件 |
IXTA32N20T
IXTP32N20T
32
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 10V
90
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 10V
28
24
20
8V
7V
6V
80
70
60
8V
7V
50
16
40
12
30
8
20
6V
4
0
5V
10
0
5V
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
0
5
10
15
20
25
30
32
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 150oC
V GS = 10V
3.6
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 16A Value vs.
Junction Temperature
28
24
20
16
12
8
4
0
8V
7V
6V
5V
3.2
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
V GS = 10V
I D = 32A
I D = 16A
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
5.0
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 16A Value vs.
Drain Current
36
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
V GS = 10V
T J = 175oC
T J = 25oC
32
28
24
20
16
12
8
4
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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