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参数资料
| 型号： | IXTA3N100P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarVHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.8 欧姆 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 39nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 125W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
Polar TM
Power MOSFET
IXTA3N100P
IXTH3N100P
IXTP3N100P
V DSS
I D25
R DS(on)
= 1000V
= 3.0A
≤ 4.8 Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-263 (I XTA )
G
S
(TAB)
Symbol
V DSS
V DGR
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Maximum Ratings
1000
1000
V
V
TO-220 (I XTP )
V GSS
V GSM
Continuous
Transient
± 20
± 30
V
V
G
D S
(TAB)
I D25
I DM
I A
E AS
dV/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
3
6
3
200
10
A
A
A
mJ
V/ns
TO-247 (IXTH)
S
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062) from case for 10s
Plastic body for 10s
125
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
W
° C
° C
° C
° C
° C
G
D
G = Gate
S = Source
Features
(TAB)
D = Drain
TAB = Drain
M d
Weight
Mounting torque
TO-263
TO-220
TO-247
(TO-220)
1.13 / 10
2.5
3.0
6.0
Nm/lb.in.
g
g
g
International standard packages
Unclamped Inductive Switching
(UIS) rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Easy to mount
Space savings
BV DSS
V GS = 0V, I D = 250 μ A
1000
V
High power density
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS
V GS = 0V
T J = 125 ° C
2.5
4.5
± 50
5
250
V
nA
μ A
μ A
Applications:
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC-DC Converters
Laser Drivers
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
4.8
Ω
AC and DC motor controls
Robotics and servo controls
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99767A(4/08)
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IXTA3N110 | 功能描述:MOSFET 3 Amps 1100V 4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA3N110TRL | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:IXTA Series Single N-Channel 1200 V 4 Ohm 150 W Power Mosfet - TO-263 |
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| IXTA3N120TRL | 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IXTA3N50D2 | 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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