参数资料
型号: IXTA3N100P
厂商: IXYS
文件页数: 4/4页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263
标准包装: 50
系列: PolarVHV™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 1000V(1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4.8 欧姆 @ 1.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 25V
功率 - 最大: 125W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: TO-263
包装: 管件
IXTA3N100P IXTP3N100P
IXTH3N100P
4.0
3.5
3.0
Fig. 7. Input Admittance
4.5
4.0
3.5
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
3.0
25oC
2.5
T J = 125oC
25oC
2.5
2.0
- 40oC
2.0
125oC
1.5
1.0
0.5
0.0
1.5
1.0
0.5
0.0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
9
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
8
7
9
8
V DS = 500V
I D = 1.5A
I G = 1mA
7
6
6
5
4
3
2
1
0
T J = 125oC
T J = 25oC
5
4
3
2
1
0
0.4
0.45
0.5
0.55
0.6
0.65
0.7
0.75
0.8
0.85
0.9
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10,000
1,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
10.00
1.00
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
100
10
Coss
Crss
0.10
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: T_3N100P(3C)4-03-08-A
相关PDF资料
PDF描述
LW3123/U SWITCH ROCKER DPDT 10A 125V
P2022N-EC SWITCH ROCKER DPDT 10A 125V
P2022N-EA SWITCH ROCKER DPDT 10A 125V
B32686A104K FILM CAP 0.100UF 10% 1000V
P2022N-DB SWITCH ROCKER DPDT 10A 125V
相关代理商/技术参数
参数描述
IXTA3N110 功能描述:MOSFET 3 Amps 1100V 4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTA3N110TRL 制造商:IXYS Corporation 功能描述:IXTA Series Single N-Channel 1200 V 4 Ohm 150 W Power Mosfet - TO-263
IXTA3N120 功能描述:MOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTA3N120TRL 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IXTA3N50D2 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube