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参数资料
| 型号： | IXTA3N50D2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 3A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 耗尽模式 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.5 欧姆 @ 1.5A，0V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1070pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 125W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AA |
| 包装： | 管件 |
IXTA3N50D2
IXTP3N50D2
2.6
2.4
2.2
Fig. 7. Normalized R DS(on) vs. Junction Temperature
V GS = 0V
I D = 1.5A
3.0
2.6
Fig. 8. R DS(on) Normalized to I D = 1.5A Value
vs. Drain Current
V GS = 0V
5V - - - -
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
T J = 125oC
T J = 25oC
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
10
T J - Degrees Centigrade
Fig. 9. Input Admittance
6
I D - Amperes
Fig. 10. Transconductance
9
8
V DS = 30V
5
V DS = 30V
T J = - 40oC
25oC
7
6
5
4
T J = 125oC
4
3
125oC
3
2
1
0
25oC
- 40oC
2
1
0
-3.5
-3.0
-2.5
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1.4
V GS - Volts
Fig. 11. Breakdown and Threshold Voltages
vs. Junction Temperature
10
I D - Amperes
Fig. 12. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
9
V GS = -10V
1.3
8
1.2
1.1
V GS(off) @ V DS = 25V
7
6
5
1.0
0.9
BV DSX @ V GS = - 5V
4
3
2
T J = 125oC
T J = 25oC
1
0.8
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
T J - Degrees Centigrade
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V SD - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA3N60P | MOSFET N-CH 600V 3A D2-PAK |
| IXTA48N20T | MOSFET N-CH 200V 48A TO-263 |
| IXTA50N25T | MOSFET N-CH 250V 50A TO-263 |
| IXTA5N60P | MOSFET N-CH 600V 5A D2-PAK |
| IXTA60N10T | MOSFET N-CH 100V 60A TO-263 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA3N50P | 功能描述:MOSFET 3.6 Amps 500 V 2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA3N60P | 功能描述:MOSFET 3 Amps 600V 2.9 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA42N25P | 功能描述:MOSFET 42 Amps 250V 0.084 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA44N15T | 功能描述:MOSFET 44 Amps 150V 45 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA44N25T | 功能描述:MOSFET 44 Amps 250V 72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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