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参数资料
| 型号： | IXTA3N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 3A D2-PAK |
| 产品目录绘图： | TO-263 Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.9 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 411pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 70W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
IXTA 3N60P IXTP 3N60P
IXTY 3N60P
4.5
4
Fig. 7. Input Adm ittance
6
5.5
Fig. 8. Transconductance
3.5
3
2.5
2
1.5
1
T J =125 o C
25 o C
-40 o C
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
T J = -40 o C
25 o C
125 o C
1
0.5
0
0.5
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
9
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
8
7
6
5
4
9
8
7
6
5
4
V DS = 300V
I D = 1.5A
I G = 10mA
3
2
1
0
T J = 125 o C
T J = 25 o C
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1000
100
10
1
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
C iss
C oss
C rss
10.0
1.0
0.1
Q G - nanoCoulombs
Fig. 13. Maxim um Transient Therm al
Resistance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.1
1
10
100
1000
V D S - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - milliseconds
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA48N20T | MOSFET N-CH 200V 48A TO-263 |
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| IXTA5N60P | MOSFET N-CH 600V 5A D2-PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA42N25P | 功能描述:MOSFET 42 Amps 250V 0.084 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA44N15T | 功能描述:MOSFET 44 Amps 150V 45 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA44N25T | 功能描述:MOSFET 44 Amps 250V 72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA44N30T | 功能描述:MOSFET 44 Amps 300V 85 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA44P15T | 功能描述:MOSFET -44 Amps -150V 0.065 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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