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参数资料
| 型号： | IXTA4N80P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.4 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 750pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 100W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
Advance Technical Information
PolarHV TM
Power MOSFET
IXTA4N80P
IXTP4N80P
V DSS = 800
I D25 = 3.6
R DS(on) ≤ 3.4
V
A
Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Symbol
V DSS
V DGR
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M Ω
Maximum Ratings
800 V
800 V
TO-263 (IXTA)
V GSS
V GSM
I D25
I DM
I AR
E AR
E AS
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
± 30
± 40
3.6
8
2
20
250
V
V
A
A
A
mJ
mJ
G
TO-220 (IXTP)
S
(TAB)
dv/dt
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 18 Ω
10
V/ns
G
D S
(TAB)
P D
T C = 25 ° C
100
W
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
T L
T SOLD
M d
Weight
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
Mounting torque (TO-220)
TO-220
TO-263
300 ° C
260 ° C
1.13/10 Nm/lb.in.
4 g
3 g
Features
International standard packages
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Low package inductance
- easy to drive and to protect
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
800
V
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 100 μ A
V GS = ± 30 V, V DS = 0 V
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
3.0
5.5
± 100
5
150
V
nA
μ A
μ A
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
3.4
Ω
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
DS99596E(08/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 445W35B24M57600 | CRYSTAL 24.576000 MHZ 13PF SMD |
| B32523Q6474K289 | FILM CAP 0.47UF 10% 400V |
| 445W35B24M00000 | CRYSTAL 24.000000 MHZ 13PF SMD |
| B32523Q6474K189 | FILM CAP 0.47UF 10% 400V |
| B32653A7223J289 | FILM CAP 22NF 5% 1250V MKP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA50N20P | 功能描述:MOSFET 50 Amps 200V 0.06 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA50N25T | 功能描述:MOSFET 50 Amps 250V 50 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA50N28T | 制造商:IXYS Corporation 功能描述: |
| IXTA52P10P | 功能描述:MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA54N30T | 功能描述:MOSFET 54 Amps 300V 72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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