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参数资料
| 型号： | IXTA4N80P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.4 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 750pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 100W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
IXTA4N80P
IXTP4N80P
7
6
5
4
Fig. 7. Transconductance
T J = - 40oC
T J = 25oC
12
11
10
9
8
7
6
Fig. 8. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
3
2
T J = 125oC
5
4
3
T J = 125oC
1
0
2
1
0
T J = 25oC
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
10
I D - Amperes
Fig. 9. Gate Charge
10,000
V SD - Volts
Fig. 10. Capacitance
9
V DS = 400V
f = 1 MHz
8
I D = 1.8A
I G = 10mA
1,000
C iss
7
6
5
4
3
2
1
0
100
10
1
C oss
C rss
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11
12 13 14 15
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Q G - NanoCoulombs
V DS - Volts
Fig. 11. Maximum Transient Thermal Impedance
10.00
1.00
0.10
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions. - Seconds
Pulse W idth
IXYS REF: T_4N80P (3J) 10-23-06.xls
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 445W35B24M57600 | CRYSTAL 24.576000 MHZ 13PF SMD |
| B32523Q6474K289 | FILM CAP 0.47UF 10% 400V |
| 445W35B24M00000 | CRYSTAL 24.000000 MHZ 13PF SMD |
| B32523Q6474K189 | FILM CAP 0.47UF 10% 400V |
| B32653A7223J289 | FILM CAP 22NF 5% 1250V MKP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA50N20P | 功能描述:MOSFET 50 Amps 200V 0.06 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA50N25T | 功能描述:MOSFET 50 Amps 250V 50 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA50N28T | 制造商:IXYS Corporation 功能描述: |
| IXTA52P10P | 功能描述:MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA54N30T | 功能描述:MOSFET 54 Amps 300V 72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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