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参数资料
| 型号： | IXTA50N25T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 50A TO-263 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 78nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
IXTA50N25T IXTH50N25T
IXTP50N25T IXTQ50N25T
50
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
160
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
45
40
V GS = 10V
8V
7V
140
V GS = 10V
8V
120
35
30
25
20
15
6V
100
80
60
7V
6V
40
10
5
0
5V
20
0
5V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
0
4
8
12
16
20
24
28
50
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
3.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 25A Value
vs. Junction Temperature
45
V GS = 10V
7V
2.8
V GS = 10V
40
35
2.4
30
6V
2
I D = 50A
25
20
1.6
I D = 25A
15
5V
1.2
10
0.8
5
0
0.4
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
4.0
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 25A Value
vs. Drain Current
V GS = 10V
55
50
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
T J = 125oC
T J = 25oC
45
40
35
30
25
20
15
10
1.0
5
0.5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA5N60P | MOSFET N-CH 600V 5A D2-PAK |
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| IXTA6N50D2 | MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK |
| IXTA6N50P | MOSFET N-CH 500V 6A D2-PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA50N28T | 制造商:IXYS Corporation 功能描述: |
| IXTA52P10P | 功能描述:MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA54N30T | 功能描述:MOSFET 54 Amps 300V 72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA56N15T | 功能描述:MOSFET 56 Amps 150V 36 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA5N50P | 功能描述:MOSFET 4.8 Amps 500V 1.4 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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