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参数资料
| 型号： | IXTA50N25T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 50A TO-263 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 78nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
IXTA50N25T IXTH50N25T
IXTP50N25T IXTQ50N25T
26
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
26
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
25
24
R G = 3.3 Ω
V GS = 15V
V DS = 125V
25
24
T J = 25oC
23
23
R G = 3.3 Ω
V GS = 15V
22
I
D
= 25A
V DS = 125V
22
21
20
19
I
D
= 50A
21
20
T J = 125oC
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
15
20
25
30
35
40
45
50
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
36
24
28
62
34
t r
t d(on) - - - -
23
27
t f
t d(off) - - - -
60
32
30
28
26
T J = 125oC, V GS = 15V
V DS = 125V
I D = 25A, 50A
22
21
20
19
26
25
24
I D = 25A
R G = 3.3 Ω , V GS = 15V
V DS = 125V
58
56
54
23
52
24
18
22
20
18
16
14
17
16
15
14
13
22
21
20
19
18
I D = 50A
50
48
46
44
42
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
30
66
100
220
28
26
t f t d(off) - - - -
R G = 3.3 Ω , V GS = 15V
V DS = 125V
T J = 25oC
62
58
90
80
70
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 15V
V DS = 125V
I D = 25A, 50A
200
180
160
24
22
20
T J = 25oC
T J = 125oC
54
50
46
60
50
40
140
120
100
30
80
18
16
T J = 125oC
42
38
20
10
60
40
15
20
25
30
35
40
45
50
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I D - Amperes
R G - Ohms
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: T_50N25T(5G)7-20-07
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA5N60P | MOSFET N-CH 600V 5A D2-PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA50N28T | 制造商:IXYS Corporation 功能描述: |
| IXTA52P10P | 功能描述:MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA54N30T | 功能描述:MOSFET 54 Amps 300V 72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA56N15T | 功能描述:MOSFET 56 Amps 150V 36 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA5N50P | 功能描述:MOSFET 4.8 Amps 500V 1.4 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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