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参数资料
| 型号： | IXTA62N15P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 62A TO-263 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHT™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 62A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 31A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 70nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 350W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
IXTA 62N15P IXTP 62N15P
IXTQ 62N15P
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 o C
60
V GS = 10V
110
100
50
9V
90
80
V GS = 10V
9V
40
8V
70
60
30
50
40
8V
20
10
0
7V
6V
30
20
10
0
7V
6V
0
0.5
1
1.5 2
V D S - Volts
2.5
3
3.5
0
2
4
6
8 10 12
V D S - Volts
14
16
18
20
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150 o C
2.8
Fig. 4. R DS(on ) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Junction Tem perature
60
50
40
30
20
10
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
2.6
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
V GS = 10V
I D = 62A
I D = 31A
0
5V
0.8
0.6
0
1
2
3 4
V D S - Volts
5
6
7
-50
-25
0
25 50 75 100 125
T J - Degrees Centigrade
150
175
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to
Fig. 6. Drain Current vs. Case
4
0.5 I D25 Value vs. I D
70
Tem perature
T J = 175oC
3.5
3
2.5
60
50
40
2
1.5
1
0.5
V GS = 15V
V GS = 10V
T J = 25oC
30
20
10
0
0
20
40
60 80 100 120
I D - Amperes
140
160
180
-50
-25
0 25 50 75 100 125
T C - Degrees Centigrade
150
175
? 2006 IXYS All rights reserved
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PDF描述 |
|---|---|
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| IXTA50N20P | MOSFET N-CH 200V 50A TO-263 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA62N25T | 功能描述:MOSFET 62 Amps 250V 50 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA6N100D2 | 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA6N50D2 | 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA6N50P | 功能描述:MOSFET 6 Amps 500V 1.1 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA70N075T2 | 功能描述:MOSFET 70 Amps 75V 0.0120 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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