参数资料
型号: IXTA62N15P
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 150V 62A TO-263
标准包装: 50
系列: PolarHT™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 62A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 40 毫欧 @ 31A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2250pF @ 25V
功率 - 最大: 350W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: TO-263
包装: 管件
IXTA 62N15P IXTP 62N15P
IXTQ 62N15P
120
105
90
Fig. 7. Input Adm ittance
36
32
28
Fig. 8. Transconductance
75
60
45
24
20
16
12
T J = -40oC
25oC
150oC
30
15
0
T J = 150oC
25oC
-40oC
8
4
0
5
6
7
8
9
10
11
0
15
30
45
60
75
90
105 120 135 150
180
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 75V
150
120
90
8
7
6
5
4
I D = 31A
I G = 10mA
60
30
0
T J = 150oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.6
0.8 1
V S D - Volts
1.2
1.4
1.6
0
10
20 30 40 50
Q G - nanoCoulombs
60
70
10000
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
1000
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
T J = 175oC
C iss
100
R DS(on) Limit
T C = 25oC
25μs
1000
C oss
100μs
1ms
100
C rss
10
1
DC
10ms
0
5
10
15 20 25
V D S - Volts
30
35
40
1
10
V D S - Volts
100
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
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