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参数资料
| 型号： | IXTA6N50D2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 耗尽模式 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 500 毫欧 @ 3A，0V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 96nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AA |
| 包装： | 管件 |
IXTA6N50D2 IXTP6N50D2
IXTH6N50D2
10,000
Fig. 13. Capacitance
5
Fig. 14. Gate Charge
4
V DS = 250V
1,000
Ciss
3
2
I D = 3A
I G = 10mA
1
100
10
f = 1 MHz
Coss
Crss
0
-1
-2
-3
-4
-5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
100.0
V DS - Volts
Fig. 15. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 25oC
R DS(on) Limit
100.0
Q G - NanoCoulombs
Fig. 16. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 75oC
R DS(on) Limit
25μs
100μs
10.0
10.0
100μs
1ms
1ms
1.0
10ms
100ms
1.0
10ms
T J = 150oC
T C = 25oC
DC
T J = 150oC
T C = 75oC
DC
100ms
0.1
Single Pulse
0.1
Single Pulse
10
100
1,000
10
100
1,000
1.000
0.100
0.010
0.001
V DS - Volts
Fig. 17. Maximum Transient Thermal Impedance
V DS - Volts
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
IXYS REF: T_6N50D2(6C)8-13-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA6N50P | MOSFET N-CH 500V 6A D2-PAK |
| IXTA70N075T2 | MOSFET N-CH 75V 70A TO-263 |
| IXTA76N075T | MOSFET N-CH 75V 76A TO-263 |
| IXTA80N10T7 | MOSFET N-CH 100V 80A TO-263-7 |
| IXTA80N10T | MOSFET N-CH 100V 80A TO-263 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA6N50P | 功能描述:MOSFET 6 Amps 500V 1.1 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA70N075T2 | 功能描述:MOSFET 70 Amps 75V 0.0120 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA70N085T | 功能描述:MOSFET 50 Amps 85V 20.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA72N20T | 功能描述:MOSFET 72 Amps 200V 33 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA74N15T | 功能描述:MOSFET 74 Amps 150V 27 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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