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参数资料
| 型号： | IXTA6N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 6A D2-PAK |
| 产品目录绘图： | TO-263 Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.1 欧姆 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 740pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 100W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
IXTA 6N50P
IXTP 6N50P
6
Fig. 1. Output Characte ris tics
@ 25 o C
V GS = 10V
14
Fig. 2. Exte nde d Output Characte ris tics
@ 25 o C
V GS = 10V
5
4
7V
12
10
8V
7V
8
3
6V
6
2
4
6V
1
5V
2
0
0
1
2
3 4
V D S - V olts
5
6
7
0
0
3
6
9
5V
12 15 18
V D S - V olts
21
24
27
30
6
Fig. 3. Output Characte ris tics
@ 125 o C
2.6
Fig. 4. R DS(on ) Norm alize d to 0.5 I D25
V alue vs . Junction Te m pe ratur e
5
V GS = 10V
7V
2.4
2.2
V GS = 10V
2
4
3
2
1
6V
5V
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
I D = 6A
I D = 3A
0.6
0
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V D S - V olts
Fig. 5. R DS(on) Nor m alize d to
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Dr ain Curr e nt vs . Cas e
3
0.5 I D25 V alue vs . I D
7
Te m pe r ature
2.8
2.6
2.4
V GS = 10V
T J = 125 o C
6
5
2.2
2
1.8
1.6
4
3
1.4
1.2
1
0.8
T J = 25 o C
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - A mperes
? 2006 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA70N075T2 | MOSFET N-CH 75V 70A TO-263 |
| IXTA76N075T | MOSFET N-CH 75V 76A TO-263 |
| IXTA80N10T7 | MOSFET N-CH 100V 80A TO-263-7 |
| IXTA80N10T | MOSFET N-CH 100V 80A TO-263 |
| IXTA88N085T7 | MOSFET N-CH 85V 88A TO-263-7 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA70N075T2 | 功能描述:MOSFET 70 Amps 75V 0.0120 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA70N085T | 功能描述:MOSFET 50 Amps 85V 20.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA72N20T | 功能描述:MOSFET 72 Amps 200V 33 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA74N15T | 功能描述:MOSFET 74 Amps 150V 27 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA75N10P | 功能描述:MOSFET 75 Amps 100V 0.025 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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