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参数资料
| 型号： | IXTA70N075T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 70A TO-263 |
| 产品目录绘图： | TO-263 Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 70A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 46nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2725pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
IXTA70N075T2
IXTP70N075T2
70
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
275
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
60
V GS = 15V
10V
9V
8V
250
225
V GS = 15V
10V
50
200
40
30
20
7V
6V
175
150
125
100
75
9V
8V
7V
50
10
6V
0
5V
25
0
5V
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
70
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
2.6
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 35A Value
vs. Junction Temperature
60
50
V GS = 15V
10V
9V
8V
2.4
2.2
2.0
V GS = 10V
40
7V
1.8
1.6
I D = 70A
I D = 35A
30
20
10
0
6V
5V
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
4.0
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 35A Value
vs. Drain Current
80
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
3.5
3.0
V GS = 10V
15V - - -
T J = 175oC
70
60
50
2.5
40
2.0
30
1.5
20
1.0
0.5
T J = 25oC
10
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTA76N075T | MOSFET N-CH 75V 76A TO-263 |
| IXTA80N10T7 | MOSFET N-CH 100V 80A TO-263-7 |
| IXTA80N10T | MOSFET N-CH 100V 80A TO-263 |
| IXTA88N085T7 | MOSFET N-CH 85V 88A TO-263-7 |
| IXTA88N085T | MOSFET N-CH 85V 88A TO-263 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA70N085T | 功能描述:MOSFET 50 Amps 85V 20.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA72N20T | 功能描述:MOSFET 72 Amps 200V 33 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA74N15T | 功能描述:MOSFET 74 Amps 150V 27 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA75N10P | 功能描述:MOSFET 75 Amps 100V 0.025 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA76N075T | 功能描述:MOSFET 55 Amps 75V 17.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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