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参数资料
| 型号： | IXTA76N25T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 76A TO-263 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 76A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 39 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 92nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 460W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
IXTA76N25T IXTH76N25T
IXTI76N25T IXTP76N25T IXTQ76N25T
34
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
34
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
32
30
28
26
R G = 3.3 Ω
V GS = 15V
V DS = 125V
32
30
28
26
24
T J = 25oC
24
22
20
18
I D = 38A
I D = 76A
22
20
18
16
R G = 3.3 Ω
V GS = 15V
V DS = 125V
16
14
14
12
10
12
10
8
T J = 125oC
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
T J - Degrees Centigrade
I D - Amperes
I D =
38A
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
30
25
30
65
28
26
24
22
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 15V
V DS = 125V
I D = 38A
24
23
28
26
24
I D = 38A
62
59
56
20
18
22
22
I D = 76A
53
16
I D = 76A
20
t f
t d(off) - - - -
50
14
12
10
21
20
18
16
R G = 3.3 Ω , V GS = 15V
V DS = 125V
47
44
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
30
28
26
T J = 125oC
T J = 25oC
70
67
64
80
70
60
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 15V
V DS = 125V
190
170
150
24
61
22
20
T J = 25oC
t f t d(off) - - - -
R G = 3.3 Ω , V GS = 15V
V DS = 125V
58
55
50
40
I
D
= 38A, 76A
130
110
18
52
30
90
16
T J = 125oC
49
14
12
46
43
20
10
70
50
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
3
4
5
6
7
8
9
10
11
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15
I D - Amperes
R G - Ohms
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: T_76N25T(6E)06-28-06
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| IXTA76P10T | 功能描述:MOSFET -76 Amps -100V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IXTA80N10T | 功能描述:MOSFET 80 Amps 100V 13.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA80N10T7 | 功能描述:MOSFET 80 Amps 100V 13.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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