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参数资料
| 型号： | IXTC110N25T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 50A ISOPLUS220 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 27 毫欧 @ 55A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 157nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 180W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS220? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS220? |
| 包装： | 管件 |
Trench TM
Power MOSFETs
(Electrically Isolated Tab)
IXTC110N25T
V DSS
I D25
R DS(on)
= 250V
= 50A
≤ 27m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Fast Intrinsic Rectifier
Avalanche Rated
ISOPLUS220
E153432
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
250
V
V DGR
V GSS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
250
± 20
± 30
V
V
V
G
DS
Isolated Tab
I D25
I DM
I A
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
50
300
25
1
A
A
A
J
G = Gate
S = Source
D = Drain
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
V ISOL
F C
Weight
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
50/60 Hz, 1 Minute
Mounting Force
10
180
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
2500
11..65/2.5..14.6
4
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
° C
V ～
N/lb.
g
Features
Silicon Chip on Direct-Copper Bond
(DCB) Substrate
Isolated Mounting Surface
International Standard Package
2500V~ Electrical Isolation
Fast Intrinsic Rectifier
Avalanche Rated
Low R DS(on)
Advantages
High Power Density
Easy to Mount
Space Savings
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Applications
BV DSS
V GS = 0V, I D = 250 μ A
250
V
DC-DC Converters
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 1mA
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 125 ° C
3.0
5.0 V
± 200 nA
5 μ A
250 μ A
Battery Chargers
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
DC Choppers
AC Moter Drives
Uninterruptible Power Supplies
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 55A, Notes 1, 2
27 m Ω
? 2012 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99841C(05/12)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTC13N50 | MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220 |
| IXTC160N10T | MOSFET N-CH 100V 83A ISOPLUS220 |
| IXTC180N085T | MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220 |
| IXTC200N10T | MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220 |
| IXTC220N055T | MOSFET N-CH 55V 130A ISOPLUS220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTC130N15T | 功能描述:MOSFET 130 Amps 150V 12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTC13N50 | 功能描述:MOSFET 13 Amps 500V 0.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTC160N085T | 功能描述:MOSFET 160 Amps 85V 0.006 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTC160N10T | 功能描述:MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTC180N055T | 功能描述:MOSFET 180 Amps 55V 0.004 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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