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参数资料
| 型号： | IXTC200N10T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220 |
| 产品目录绘图： | ISOPLUS220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 101A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.3 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 152nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 160W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS220? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS220? |
| 包装： | 管件 |
IXTC200N10T
200
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
350
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
180
160
140
120
100
80
V GS = 10V
9V
8V
7V
300
250
200
150
V GS = 10V
9V
8V
7V
60
6V
100
6V
40
20
0
5V
50
0
5V
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0
1
2
3
4
5
6
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 100A Value
vs. Junction Temperature
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
5V
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
V GS = 10V
I D = 200A
I D = 100A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
3.0
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 100A Value
vs. Drain Current
90
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
V GS = 10V
15V - - - -
T J = 175oC
80
70
60
50
40
30
20
External Lead Current Limit
1.0
0.8
0.6
T J = 25oC
10
0
0
40
80
120
160
200
240
280
320
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
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PDF描述 |
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