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参数资料
| 型号： | IXTC250N075T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 128A ISOPLUS220 |
| 产品目录绘图： | ISOPLUS220 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 128A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.4 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 200nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 160W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS220? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS220? |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
TrenchMV TM
IXTC250N075T
V DSS
= 75 V
Power MOSFET
(Electrically Isolated Back Surface)
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
I D25
R DS(on)
= 128 A
≤ 4.4 m Ω
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
ISOPLUS220 (IXTC)
V DSS
V DGR
V GSM
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C; R GS = 1 M Ω
Transient
75
75
± 20
V
V
V
E153432
I D25
I LRMS
I DM
T C = 25 ° C
Package Current Limit, RMS
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
128
75
600
A
A
A
G
D
S
Isolated back surface
I AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
25
1.0
3
A
J
V/ns
G = Gate
S = Source
D = Drain
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
V ISOL
F C
Weight
T J ≤ 175 ° C, R G = 3.3 Ω
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 seconds
50/60 Hz, t = 1 minute, I ISOL < 1 mA, RMS
Mounting force
160
-55 ... +175
175
-55 ... +175
300
260
2500
11..65/2.5..15
2
W
° C
° C
° C
° C
° C
V
N/lb.
g
Features
Ultra-low On Resistance
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
175 °C Operating Temperature
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
Applications
Automotive
- Motor Drives
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
- 42V Power Bus
- ABS Systems
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
75
V
DC/DC Converters and Off-line UPS
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 250 μ A
2.0
4.0
V
Primary Switch for 24V and 48V
Systems
I GSS
V GS = ± 20 V, V DS = 0 V
± 200 nA
High Current Switching
Applications
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
5 μ A
250 μ A
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 25 A, Notes 1, 2
4.4 m Ω
DS99655 (02/07)
? 2007 IXYS CORPORATION All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTC26N50P | MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220 |
| IXTC280N055T | MOSFET N-CH 55V 145A ISOPLUS220 |
| IXTC75N10 | MOSFET N-CH 100V 72A ISOPLUS220 |
| IXTF1N400 | MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4 |
| IXTF200N10T | MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTC26N50P | 功能描述:MOSFET 14.0 Amps 500 V 0.26 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTC280N055T | 功能描述:MOSFET 280 Amps 55V 2.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTC36P15P | 功能描述:MOSFET -22.0 Amps -150V 0.120 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTC62N15P | 功能描述:MOSFET Polar MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTC72N30T | 功能描述:MOSFET 72 Amps 300V 52 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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