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参数资料
| 型号： | IXTF200N10T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5 |
| 产品目录绘图： | ISOPLUS i4, i5 Package |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 152nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 156W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | i4-Pac?-5 |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS i4-PAC? |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
TrenchMV TM Power
MOSFET
( Electrically Isolated Back Surface)
IXTF200N10T
V DSS
I D25
R DS(on)
= 100V
= 90A
≤ 7m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
ISOPLUS i4-Pak TM (5-lead)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
V GSM
I D25
I DM
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C, R GS = 1M Ω
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
100
100
± 30
90
500
V
V
V
A
A
I A
E AS
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
40
1.5
156
A
J
W
G
S
S
D
D
T J
T JM
T stg
-55 ... +175
175
-55 ... +175
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
T L
V ISOL
M d
Weight
1.6mm (0.062in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10 seconds
50/60Hz, t = 1 minute, I ISOL < 1mA, RMS
Mounting Force
300
260
2500
120..120 / 4.5..27
6
° C
° C
V
N/lb.
g
Features
Silicon Chip on Direct-Copper Bond
(DCB) Substrate
Isolated Mounting Surface
Avalanche Rated
2500V Electrical Isolation
Advantages
Easy to Mount
Space Savings
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
High Power Density
Applications
BV DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = 0V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
V GS = 10V, I D = 50A , Notes 1
T J = 150 ° C
100
2.5
4.5
± 200
5
250
7
V
V
nA
μ A
μ A
m Ω
Automotive
- Motor Drives
- High Side Switch
- 12V Battery
- ABS Systems
DC/DC Converters and Off-Line UPS
Primary - Side Switch
High Current Switching Applications
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99747B(03/09)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTF230N085T | MOSFET N-CH 85V 130A ISOPLUS I4 |
| IXTF250N075T | MOSFET N-CH 75V 140A ISOPLUS I4 |
| IXTF280N055T | MOSFET N-CH 55V 160A ISOPLUS I4 |
| IXTH102N15T | MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 |
| IXTH12N100L | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTF230N085T | 功能描述:MOSFET 230 Amps 85V 4.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTF250N075T | 功能描述:MOSFET 250 Amps 75V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTF280N055T | 功能描述:MOSFET 280 Amps 55V 2.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH 3N100P | 制造商:IXYS Corporation 功能描述: |
| IXTH02N250 | 功能描述:MOSFET High Voltage Power MOSFET; 2500V, 0.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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