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参数资料
| 型号： | IXTH12N100L |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.3 欧姆 @ 500mA，20V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 155nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
Linear TM Power
MOSFET w/ Extended
FBSOA
IXTH12N100L
V DSS
I D25
R DS(on)
= 1000V
= 12A
≤ 1.3 Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-247
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
1000
1000
V
V
V GSS
V GSM
Continuous
Transient
± 30
± 40
V
V
G
D
S
Tab
I D25
I DM
I A
E AS
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
12
25
12
1.5
400
A
A
A
J
W
G = Gate
S = Source
D = Drain
Tab = Drain
T J
-55...+150
° C
T JM
T stg
T L
T SOLD
M d
Weight
1.6mm (0.063 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
Mounting Torque
150
-55...+150
300
260
1.13/10
6
° C
° C
° C
° C
Nm/lb.in.
g
Features
? International Standard Package
? Designed for Linear Operation
? Avalanche Rated
? Molding Epoxy Meets UL94 V-0
Flammability Classification
Advantages
? Easy to Mount
? Space Savings
? High Power Density
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 250 μ A
V GS(th) V DS = V GS , I D = 250 μ A
I GSS V GS = ± 30V, V DS = 0V
I DSS V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 125 ° C
R DS(on) V GS = 20V, I D = 0.5 ? I DSS , Note 1
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
1000 V
3.5 5.5 V
± 100 nA
50 μ A
500 μ A
1.3 Ω
Applications
? Programmable Loads
? Current Regulators
? DC-DC Converters
? Battery Chargers
? DC Choppers
? Temperature and Lighting Controls
DS99126B(04/10)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH12N100 | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 |
| IXTH12N120 | MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 |
| IXTH12N90 | MOSFET N-CH 900V 12A TO-247 |
| IXTH130N10T | MOSFET N-CH 100V 130A TO-247 |
| IXTH130N15T | MOSFET N-CH 150V 130A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH12N100Q | 功能描述:MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH12N120 | 功能描述:MOSFET 12 Amps 1200V 1.300 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH12N140 | 功能描述:MOSFET 1200V High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH12N150 | 功能描述:MOSFET >1200V High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH12N45 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:12 AMPS, 450-500V, 0.4OM/0.5OM |
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