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参数资料
| 型号： | IXTH12N100L |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.3 欧姆 @ 500mA，20V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 155nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTH12N100L
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
TO-247 (IXTH) Outline
g fs
C iss
V DS = 20V, I D = 0.5 ? I DSS , Note 1
3.0
5.0
2500
S
pF
C oss
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
300
pF
1
2
3
?P
C rss
95
pF
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Resistive Switching Times
V GS = 15V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I DSS
R G = 4.7 Ω (External)
30
55
110
65
ns
ns
ns
ns
e
Q g(on)
155
nC
Terminals: 1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
Q gs
V GS = 20V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I DSS
35
nC
Dim.
Millimeter
Inches
Q gd
R thJC
R thCS
55
0.21
nC
0.31 ° C/W
° C/W
Min. Max.
A 4.7 5.3
A 1 2.2 2.54
A 2 2.2 2.6
b 1.0 1.4
b 1
1.65 2.13
b 2
2.87 3.12
Min. Max.
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
C .4 .8
.016 .031
Safe-Operating-Area Specification
D 20.80 21.46
E 15.75 16.26
.819 .845
.610 .640
Symbol
SOA
Test Conditions
V DS = 800V, I D = 0.25A, T C = 60 ° C
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
200
W
e 5.20 5.72
L 19.81 20.32
L1 4.50
? P 3.55 3.65
Q 5.89 6.40
R 4.32 5.49
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
Source-Drain Diode
S 6.15 BSC
242 BSC
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
I S
I SM
V SD
t rr
Note
V GS = 0V
Repetitive, Pulse Width Limited by T JM
I F = I S , V GS = 0V, Note 1
I F = I S , -di/dt = 100A/ μ s, V R = 100V, V GS = 0V
1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle, d ≤ 2%.
1000
12
48
1.5
A
A
V
ns
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2
6,759,692
7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH12N100 | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 |
| IXTH12N120 | MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 |
| IXTH12N90 | MOSFET N-CH 900V 12A TO-247 |
| IXTH130N10T | MOSFET N-CH 100V 130A TO-247 |
| IXTH130N15T | MOSFET N-CH 150V 130A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH12N100Q | 功能描述:MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH12N120 | 功能描述:MOSFET 12 Amps 1200V 1.300 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH12N140 | 功能描述:MOSFET 1200V High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH12N150 | 功能描述:MOSFET >1200V High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH12N45 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:12 AMPS, 450-500V, 0.4OM/0.5OM |
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