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参数资料
| 型号： | IXTH130N10T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 130A TO-247 |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 130A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.1 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 104nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5080pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
TrenchMV TM
Power MOSFET
IXTH130N10T
IXTQ130N10T
V DSS
I D25
R DS(on)
= 100V
= 130A
≤ 9.1m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-247 (IXTH)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C, R GS = 1M Ω
100
100
V
V
G
D
S
(TAB)
V GSM
I D25
I LRMS
I DM
Transient
T C = 25 ° C
Lead Current Limit, RMS
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
± 20
130
75
300
V
A
A
A
TO-3P (IXTQ)
I A
E AS
P D
T J
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
65
500
360
-55 ... +175
A
mJ
W
° C
G
D
S
G = Gate
S = Source
(TAB)
D = Drain
TAB = Drain
T JM
T stg
175
-55 ... +175
° C
° C
T L
M d
Weight
1.6mm (0.062in.) from case for 10s
Plastic body for 10 seconds
Mounting torque (TO-247)(TO-3P)
TO-247
TO-3P
300
260
1.13 / 10
6.0
5.5
° C
° C
Nm/lb.in.
g
g
Features
Ultra-low On Resistance
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
175 ° C Operating Temperature
Advantages
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 250 μ A
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
100 V
Easy to mount
Space savings
High power density
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 250 μ A
2.5
4.5
V
Applications
I GSS
I DSS
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS
± 200 nA
5 μ A
Automotive
- Motor Drives
- High Side Switch
V GS = 0V
T J = 150 ° C
250
μ A
- 12V Battery
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 25A , Notes 1, 2
9.1 m Ω
- ABS Systems
DC/DC Converters and Off-line UPS
Primary- Side Switch
High Current Switching
Applications
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99708A(07/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH130N15T | MOSFET N-CH 150V 130A TO-247 |
| IXTH130N20T | MOSFET N-CH 200V 130A TO-247 |
| IXTH13N110 | MOSFET N-CH 1.1KV 13A TO-247AD |
| IXTH13N80 | MOSFET N-CH 800V 13A TO-247 |
| IXTH14N100 | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH130N15T | 功能描述:MOSFET 130 Amps 150V 12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH130N20T | 功能描述:MOSFET 130Amps 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH13N110 | 功能描述:MOSFET 13 Amps 1100V 0.92 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH13N65 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH13N80 | 功能描述:MOSFET 13 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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