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参数资料
| 型号： | IXTH130N10T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 130A TO-247 |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 130A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.1 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 104nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5080pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTH130N10T
IXTQ130N10T
130
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
280
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
120
110
100
90
V GS = 10V
8V
240
200
V GS = 10V
9V
8V
80
70
7V
160
60
50
120
7V
40
30
20
10
0
6V
80
40
0
6V
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
130
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
2.8
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 65A Value
vs. Junction Temperature
120
110
100
90
V GS = 10V
9V
8V
2.6
2.4
2.2
2.0
V GS = 10V
I D = 130A
80
70
60
50
40
30
20
10
0
7V
6V
5V
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
I D = 65A
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
3.0
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 65A Value
vs. Drain Current
80
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
V GS = 10V
15V - - - -
T J = 175oC
70
60
50
40
1.8
1.6
30
1.4
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
20
10
0
0
40
80
120
160
200
240
280
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH130N15T | MOSFET N-CH 150V 130A TO-247 |
| IXTH130N20T | MOSFET N-CH 200V 130A TO-247 |
| IXTH13N110 | MOSFET N-CH 1.1KV 13A TO-247AD |
| IXTH13N80 | MOSFET N-CH 800V 13A TO-247 |
| IXTH14N100 | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH130N15T | 功能描述:MOSFET 130 Amps 150V 12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH130N20T | 功能描述:MOSFET 130Amps 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH13N110 | 功能描述:MOSFET 13 Amps 1100V 0.92 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH13N65 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH13N80 | 功能描述:MOSFET 13 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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