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参数资料
| 型号： | IXTH130N15T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 130A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 130A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 65A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 113nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 750W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
TrenchHV TM
Power MOSFET
IXTH130N15T
IXTQ130N15T
V DSS
I D25
R DS(on)
= 150 V
= 130 A
≤ 12 m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-247 (IXTH)
Symbol
V DSS
V DGR
Test Conditions
T J = 25°C to 175°C
T J = 25°C to 175°C; R GS = 1 M Ω
Maximum Ratings
150 V
150 V
G
D
S
(TAB)
V GSM
I D25
I LRMS
I DM
I AR
E AS
Transient
T C = 25°C
Lead Current Limit, RMS
T C = 25°C, pulse width limited by T JM
T C = 25°C
T C = 25°C
± 30
130
75
330
5
1.2
V
A
A
A
A
J
TO-3P (IXTQ)
G
dv/dt
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ms, V DD ≤ V DSS
3
V/ns
D
S
(TAB)
T J ≤ 175°C, R G = 2.5 Ω
P D
T C = 25°C
750
W
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
T J
T JM
T stg
-55 ... +175
175
-55 ... +175
°C
°C
°C
T L
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 seconds
300
260
°C
°C
Features
Unclamped Inductive Switching (UIS)
M d
Mounting torque
1.13 / 10 Nm/lb.in.
rated
Low package inductance
Weight
TO-3P
TO-247
5.5
6
g
g
- easy to drive and to protect
175 ° C Operating Temperature
Advantages
Easy to mount
Space savings
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
High power density
(T J = 25°C unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
150
V
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 1 mA
V GS = ± 20 V, V DS = 0 V
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 150°C
2.5
4.5
± 200
5
250
V
nA
μ A
μ A
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25 , Notes 1, 2
10
12
m Ω
DS99796 (02/07)
? 2007 IXYS CORPORATION, All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH130N20T | MOSFET N-CH 200V 130A TO-247 |
| IXTH13N110 | MOSFET N-CH 1.1KV 13A TO-247AD |
| IXTH13N80 | MOSFET N-CH 800V 13A TO-247 |
| IXTH14N100 | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 |
| IXTH14N80 | MOSFET N-CH 800V 14A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH130N20T | 功能描述:MOSFET 130Amps 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH13N110 | 功能描述:MOSFET 13 Amps 1100V 0.92 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH13N65 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH13N80 | 功能描述:MOSFET 13 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH13N90 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-218VAR |
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