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参数资料
| 型号： | IXTH130N15T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 130A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 130A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 65A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 113nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 750W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTH130N15T
IXTQ130N15T
130
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
300
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
120
V GS = 10V
V GS = 10V
110
100
90
80
9V
8V
7V
250
200
9V
8V
7V
70
60
50
40
30
20
10
0
6V
5V
150
100
50
0
6V
5V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
2
4
6
8
10
12
14
16
130
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
3.4
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 65A Value
vs. Junction Temperature
120
110
V GS = 10V
9V
8V
7V
3.0
V GS = 10V
100
90
2.6
80
70
6V
2.2
1.8
I D = 130A
I D = 65A
60
50
40
30
1.4
1.0
20
10
0
5V
0.6
0.2
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
2.8
3.2
3.6
4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
4.5
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 65A Value
vs. Drain Current
90
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
4
V GS = 10V
15V - - - -
T J = 175oC
80
External Lead Current Limit
3.5
70
60
3
50
2.5
40
2
30
1.5
20
1
0.5
T J = 25oC
10
0
0
50
100
150
200
250
300
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2007 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH130N20T | MOSFET N-CH 200V 130A TO-247 |
| IXTH13N110 | MOSFET N-CH 1.1KV 13A TO-247AD |
| IXTH13N80 | MOSFET N-CH 800V 13A TO-247 |
| IXTH14N100 | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 |
| IXTH14N80 | MOSFET N-CH 800V 14A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH130N20T | 功能描述:MOSFET 130Amps 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH13N110 | 功能描述:MOSFET 13 Amps 1100V 0.92 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH13N65 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH13N80 | 功能描述:MOSFET 13 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH13N90 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-218VAR |
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