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参数资料
| 型号： | IXTH12N100L |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.3 欧姆 @ 500mA，20V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 155nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTH12N100L
16
Fig. 7. Input Admittance
10
Fig. 8. Transconductance
14
12
9
8
7
T J = - 40oC
25oC
10
T J = 125oC
6
125oC
25oC
8
6
- 40oC
5
4
3
4
2
2
0
1
0
3.5
4.5
5.5
6.5
7.5
8.5
9.5
10.5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
36
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
20
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
32
28
24
18
16
14
V DS = 500V
I D = 6A
I G = 10mA
12
20
10
16
8
12
8
4
0
T J = 125oC
T J = 25oC
6
4
2
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0
20
40
60
80
100
120
140
160
10,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
f = 1 MHz
Ciss
1,000
0.1
Coss
100
Crss
10
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
Pulse Width - Seconds
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH12N100 | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 |
| IXTH12N120 | MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 |
| IXTH12N90 | MOSFET N-CH 900V 12A TO-247 |
| IXTH130N10T | MOSFET N-CH 100V 130A TO-247 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH12N100Q | 功能描述:MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH12N120 | 功能描述:MOSFET 12 Amps 1200V 1.300 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH12N140 | 功能描述:MOSFET 1200V High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH12N150 | 功能描述:MOSFET >1200V High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH12N45 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:12 AMPS, 450-500V, 0.4OM/0.5OM |
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