参数资料
型号: IXTH12N100L
厂商: IXYS
文件页数: 3/5页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
标准包装: 30
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 1000V(1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 12A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.3 欧姆 @ 500mA,20V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 155nC @ 20V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2500pF @ 25V
功率 - 最大: 400W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247
包装: 管件
IXTH12N100L
12
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 20V
20
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 20V
12V
18
12V
10
10V
16
8
9V
14
10V
12
6
10
8V
8
9V
4
6
8V
2
7V
4
0
6V
2
0
7V
6V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
5
10
15
20
25
30
12
10
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
V GS = 20V
10V
3.0
2.6
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 6A Value vs.
Junction Temperature
V GS = 20V
8
6
9V
8V
2.2
1.8
I D = 12A
I D = 6A
1.4
4
2
0
7V
6V
5V
1.0
0.6
0.2
0
5
10
15
20
25
30
35
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.6
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 6A Value vs.
Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.4
2.2
V GS = 20V
T J = 125oC
12
10
2.0
8
1.8
1.6
6
1.4
T J = 25oC
4
1.2
2
1.0
0.8
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
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