参数资料
型号: IXTH12N100L
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
标准包装: 30
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 1000V(1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 12A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.3 欧姆 @ 500mA,20V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 155nC @ 20V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2500pF @ 25V
功率 - 最大: 400W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247
包装: 管件
IXTH12N100L
100
Fig. 13. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 25oC
R DS(on) Limit
25μs
100
Fig. 14. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 60oC
R DS(on) Limit
25μs
10
100μs
10
100μs
1ms
1ms
1
10ms
1
10ms
DC
T J = 150oC
T J = 150oC
0.1
T C = 25oC
Single Pulse
0.1
T C = 60oC
Single Pulse
DC
10
100
1,000
10,000
10
100
1,000
10,000
V DS - Volts
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
V DS - Volts
IXYS REF: T_12N100L(7N)4-19-10-A
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PDF描述
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参数描述
IXTH12N100Q 功能描述:MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH12N120 功能描述:MOSFET 12 Amps 1200V 1.300 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH12N140 功能描述:MOSFET 1200V High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH12N150 功能描述:MOSFET >1200V High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTH12N45 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:12 AMPS, 450-500V, 0.4OM/0.5OM