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参数资料
| 型号： | IXTH102N15T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 102A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 87nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5220pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 455W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
Trench Gate
Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXTA102N15T
IXTH102N15T
IXTP102N15T
IXTQ102N15T
V DSS
I D25
R DS(on)
= 150V
= 102A
≤ 18m Ω
TO-263 (I XTA )
TO-247 (IXTH)
TO-220 (I XTP )
TO-3P (IXTQ)
G
S
(TAB)
G
D
S
(TAB)
G
D S
(TAB)
G
D
S
(TAB)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
150
150
± 20
± 30
V
V
V
V
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
I D25
I LRMS
I DM
I A
E AS
dV/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
T C = 25 ° C
Lead Current Limit, RMS
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 175 ° C
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10 seconds
102
75
300
51
750
10
455
-55 ... +175
175
-55 ... +175
300
260
A
A
A
A
mJ
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
° C
Features
International Standard Packages
Avalanche Rated
Advantages
Easy to Mount
Space Savings
High Power Density
Applications
M d
Mounting Torque
(TO-220, TO-3P, TO-247)
1.13 / 10
Nmlb.in.
DC-DC Converters
F C
Weight
Mounting Force
TO-263
TO-220
TO-3P
TO-247
(TO-263)
10..65/2.2..14.6
2.5
3.0
5.5
6.0
N/lb.
g
g
g
g
Battery Chargers
Switched-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
DC Choppers
AC Motor Drives
Uninterruptible Power Supplies
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
High Speed Power Switching
Applications
BV DSS
V GS = 0V, I D = 250 μ A
150
V
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 1mA
2.5
5.0
V
I GSS
V GS = ± 20V, V DS = 0V
± 200 nA
I DSS
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 150 ° C
5 μ A
250 μ A
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
18 m Ω
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99661C(04/09)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH12N100L | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 |
| IXTH12N100 | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 |
| IXTH12N120 | MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH102N20T | 功能描述:MOSFET 102 Amps 200V 22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH102N25T | 功能描述:MOSFET 102 Amps 250V 29 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH10N100 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:MegaMOS FET |
| IXTH10N100D | 功能描述:MOSFET 10 Amps 1000V 1.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH10N60 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247 |
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