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参数资料
| 型号： | IXTH102N15T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 7/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 102A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 87nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5220pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 455W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTA102N15T IXTH102N15T
IXTP102N15T IXTQ102N15T
Fig. 19. Maximum Transient Thermal Impedance
1.00
0.10
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
IXYS REF: F_102N15T(6E)90-30-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH12N100L | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 |
| IXTH12N100 | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 |
| IXTH12N120 | MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 |
| IXTH12N90 | MOSFET N-CH 900V 12A TO-247 |
| IXTH130N10T | MOSFET N-CH 100V 130A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH102N20T | 功能描述:MOSFET 102 Amps 200V 22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH102N25T | 功能描述:MOSFET 102 Amps 250V 29 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH10N100 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:MegaMOS FET |
| IXTH10N100D | 功能描述:MOSFET 10 Amps 1000V 1.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH10N60 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247 |
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