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参数资料
| 型号： | IXTC250N075T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 128A ISOPLUS220 |
| 产品目录绘图： | ISOPLUS220 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 128A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.4 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 200nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 160W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS220? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS220? |
| 包装： | 管件 |
IXTC250N075T
53
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
55
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
50
R G = 3.3 Ω
47
44
V GS = 10V
V DS = 37.5V
50
45
T J = 25oC
41
38
35
32
29
I D = 50A
40
35
30
R G = 3.3 Ω
V GS = 10V
V DS = 37.5V
26
I D = 25A
25
T J = 125oC
23
20
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
200
85
53
102
180
t r
t d(on) - - - -
80
52
t f
t d(off) - - - -
98
160
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 37.5V
I D = 50A, 25A
75
51
50
R G = 3.3 Ω , V GS = 10V
V DS = 37.5V
94
90
140
120
70
65
49
48
86
82
100
80
60
40
60
55
50
45
47
46
45
44
43
I D = 50A
I D = 25A
78
74
70
66
62
42
58
20
0
40
35
41
40
54
50
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
56
100
240
390
54
52
50
48
46
t f t d(off) - - - -
R G = 3.3 Ω , V GS = 10V
V DS = 37.5V
95
90
85
80
75
220
200
180
160
140
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 37.5V
I D = 25A
I D = 50A
360
330
300
270
240
120
210
44
42
40
38
36
T J = 25oC, 125oC
70
65
60
55
50
100
80
60
40
20
180
150
120
90
60
24
26 28 30 32 34
36 38
40
42 44 46 48 50
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I D - Amperes
R G - Ohms
? 2007 IXYS CORPORATION All rights reserved
IXYS REF: T_250N075T (6V) 2-02-07-B.xls
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTC26N50P | MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220 |
| IXTC280N055T | MOSFET N-CH 55V 145A ISOPLUS220 |
| IXTC75N10 | MOSFET N-CH 100V 72A ISOPLUS220 |
| IXTF1N400 | MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4 |
| IXTF200N10T | MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTC26N50P | 功能描述:MOSFET 14.0 Amps 500 V 0.26 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTC280N055T | 功能描述:MOSFET 280 Amps 55V 2.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTC36P15P | 功能描述:MOSFET -22.0 Amps -150V 0.120 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTC62N15P | 功能描述:MOSFET Polar MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTC72N30T | 功能描述:MOSFET 72 Amps 300V 52 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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