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参数资料
| 型号： | IXTF1N400 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4 |
| 标准包装： | 25 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 4000V（4kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 78nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2530pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 160W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | i4-Pac?-5（3 引线） |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS i4-PAC? |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | Q5597315 |
High Voltage
Power MOSFET
(Electrically Isolated Tab)
IXTF1N400
V DSS
I D25
R DS(on)
= 4000V
= 1A
≤ 60 Ω
N-Channel Enhancement Mode
ISOPLUS i4-Pak TM
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
4000
4000
V
V
V GSS
V GSM
Continuous
Transient
± 20
± 30
V
V
1
2
5
Isolated Tab
I D25
T C = 25 ° C
1
A
I DM
P D
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
3
160
A
W
1 = Gate
2 = Source
5 = Drain
T J
T JM
T stg
- 55 ... +150
150
- 55 ... +150
° C
° C
° C
T L
T SOLD
F C
V ISOL
Weight
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
Mounting Force
50/60Hz , 1 Minute
300
260
20..120 / 4.5..27
4000
5
° C
° C
N/lb.
V~
g
Features
Silicon Chip on Direct-Copper Bond
(DCB) Substrate
Isolated Mounting Surface
4000V~ Electrical Isolation
Molding Epoxies meet UL 94 V-0
Flammability Classification
Advantages
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
V GS(th) V DS = V GS , I D = 250 μ A
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
2.0 4.0
V
Easy to Mount
Space Savings
High Power Density
I GSS
V GS = ± 20V, V DS = 0V
± 100 nA
I DSS
R DS(on)
V DS = 3.2kV, V GS = 0V
V DS = 4.0kV
V DS = 3.2kV Note 2, T J = 100 ° C
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
250
50 μ A
250 μ A
μ A
60 Ω
Applications
High Voltage Power Supplies
Capacitor Discharge Applications
Pulse Circuits
Laser and X-Ray Generation Systems
? 2012 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100159D(01/12)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTF200N10T | MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5 |
| IXTF230N085T | MOSFET N-CH 85V 130A ISOPLUS I4 |
| IXTF250N075T | MOSFET N-CH 75V 140A ISOPLUS I4 |
| IXTF280N055T | MOSFET N-CH 55V 160A ISOPLUS I4 |
| IXTH102N15T | MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTF1N450 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 4500V 900MA I4PAK |
| IXTF200N10T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTF230N085T | 功能描述:MOSFET 230 Amps 85V 4.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTF250N075T | 功能描述:MOSFET 250 Amps 75V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTF280N055T | 功能描述:MOSFET 280 Amps 55V 2.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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