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参数资料
| 型号： | IXTF1N400 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4 |
| 标准包装： | 25 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 4000V（4kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 78nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2530pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 160W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | i4-Pac?-5（3 引线） |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS i4-PAC? |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | Q5597315 |
IXTF1N400
1.4
Fig. 7. Input Admittance
2
Fig. 8. Transconductance
1.2
1
1.8
1.6
1.4
T J = - 40oC
25oC
0.8
0.6
0.4
T J = 125oC
25oC
- 40oC
1.2
1
0.8
0.6
125oC
0.4
0.2
0.2
0
0
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
2.4
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 1000V
2
8
I D = 0.5A
I G = 10mA
1.6
1.2
0.8
0.4
0
T J = 25oC
T J = 125oC
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
10,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
f = 1 MHz
Ciss
1,000
0.1
Coss
100
Crss
10
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF: T_1N400(8P)8-25-09-A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTF200N10T | MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5 |
| IXTF230N085T | MOSFET N-CH 85V 130A ISOPLUS I4 |
| IXTF250N075T | MOSFET N-CH 75V 140A ISOPLUS I4 |
| IXTF280N055T | MOSFET N-CH 55V 160A ISOPLUS I4 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTF1N450 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 4500V 900MA I4PAK |
| IXTF200N10T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTF230N085T | 功能描述:MOSFET 230 Amps 85V 4.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTF250N075T | 功能描述:MOSFET 250 Amps 75V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTF280N055T | 功能描述:MOSFET 280 Amps 55V 2.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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