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参数资料
| 型号： | IXTF1N400 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4 |
| 标准包装： | 25 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 4000V（4kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 78nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2530pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 160W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | i4-Pac?-5（3 引线） |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS i4-PAC? |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | Q5597315 |
IXTF1N400
1
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
1.4
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
0.9
V GS = 10V
V GS = 10V
1.2
0.8
0.7
0.6
5V
1
0.8
5V
0.5
0.4
0.3
0.2
4.5V
4V
0.6
0.4
0.2
4.5V
4V
0.1
0
3V
0
3V
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
50
100
150
200
250
300
350
400
1
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
2.6
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 0.5A Value
vs. Junction Temperature
0.9
0.8
V GS = 10V
5V
2.2
V GS = 10V
0.7
0.6
0.5
0.4
4V
1.8
1.4
I D = 1.0A
I D = 0.5A
0.3
0.2
0.1
0
3V
1.0
0.6
0.2
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.4
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 0.5A Value
vs. Drain Current
1.2
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
2.2
2.0
V GS = 10V
T J = 125oC
1
0.8
1.8
1.6
0.6
1.4
0.4
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
0.2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - MilliAmperes
? 2012 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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