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参数资料
| 型号： | IXTF1N400 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4 |
| 标准包装： | 25 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 4000V（4kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 78nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2530pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 160W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | i4-Pac?-5（3 引线） |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS i4-PAC? |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | Q5597315 |
IXTF1N400
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
ISOPLUS i4-Pak TM (HV) Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V DS = 50V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 1A
R G = 2 Ω (External)
0.55
0.95
2530
93
30
28
24
81
90
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
Q g(on)
78
nC
Pin
1
=
Gate
Q gs
V GS = 10V, V DS = 1kV, I D = 0.5 ? I D25
10
nC
Pin
Pin
Pin
2
3
4
=
=
=
Soure
Drain
Isolated
Q gd
R thJC
R thCS
Source-Drain Diode
35
0.15
nC
0.78 ° C/W
° C/W
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
I S
I SM
V SD
t rr
Notes:
V GS = 0V
Repetitive, Pulse Width Limited by T JM
I F = 1A, V GS = 0V, Note 1
I F = 1A, -di/dt = 100A/ μ s, V R = 200V
1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle, d ≤ 2%.
3.5
1
5
4
A
A
V
μ s
2. Part must be heatsunk for high-temp Idss measurement.
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or moreof the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTF200N10T | MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5 |
| IXTF230N085T | MOSFET N-CH 85V 130A ISOPLUS I4 |
| IXTF250N075T | MOSFET N-CH 75V 140A ISOPLUS I4 |
| IXTF280N055T | MOSFET N-CH 55V 160A ISOPLUS I4 |
| IXTH102N15T | MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTF1N450 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 4500V 900MA I4PAK |
| IXTF200N10T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTF230N085T | 功能描述:MOSFET 230 Amps 85V 4.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTF250N075T | 功能描述:MOSFET 250 Amps 75V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTF280N055T | 功能描述:MOSFET 280 Amps 55V 2.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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