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参数资料
| 型号： | IXTC75N10 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 72A ISOPLUS220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | MegaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 72A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 37.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 260nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 230W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS220? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS220? |
| 包装： | 管件 |
ADVANCE TECHNICAL INFORMATION
MegaMOS TM FET
IXTC 75N10
V DSS
= 100 V
N-Channel Enhancement Mode
I D25 = 72 A
R DS(on) = 20 m ?
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
ISOPLUS220 TM
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
100
100
V
V
V GS
V GSM
I D25
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
± 20
± 30
72
V
V
A
G
D
S
Isolated back surface*
I DM
P D
T J
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
300
230
-55 ... +150
A
W
° C
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
T JM
T stg
M d
Weight
Mounting torque
150 ° C
-55 ... +150 ° C
1.13/10 Nm/lb.in.
2 g
International standard packages
Low R DS (on) HDMOS TM process
Rugged polysilicon gate cell structure
Low package inductance (< 5 nH)
- easy to drive and to protect
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
300
° C
Fast switching times
Applications
Switch-mode and resonant-mode
power supplies
Motor controls
Uninterruptible Power Supplies (UPS)
DC choppers
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Advantages
Easy to mount with 1 screw (TO-247)
V DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = 0.8 ? V DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
100
2
4
± 100
200
1
V
V
nA
μ A
mA
(isolated mounting screw hole)
Space savings
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = I T
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
0.020
?
See IXTH75N10 data sheet for
characteristic curves
? 2003 IXYS All rights reserved
DS98881A(7/03)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTF1N400 | MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTD5N100A | 功能描述:MOSFET 5 Amps 1000V 2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTE250N10 | 功能描述:MOSFET 250 Amps 100V 0.005 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IXTF1N400 | 功能描述:MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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