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参数资料
| 型号： | IXTC75N10 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 72A ISOPLUS220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | MegaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 72A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 37.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 260nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 230W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS220? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS220? |
| 包装： | 管件 |
IXTC 75N10
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
ISOPLUS220 Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
V DS = 10 V; I D = I T , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
25
30
4500
1300
550
40
60
S
pF
pF
pF
ns
t r
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = I T
60
110
ns
t d(off)
R G = 2 ?, (External)
100 140
ns
t f
30
60
ns
Q g(on)
180 260
nC
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = I T
30
90
70
160
nC
nC
R thJC
R thCK
0.30
0.54
K/W
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
Symbol
Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
I S
I SM
V SD
t rr
V GS = 0 V
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
I F = I S , -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
300
75
300
1.75
A
A
V
ns
Note: 1. I T = 37.5A
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTF1N400 | MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4 |
| IXTF200N10T | MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5 |
| IXTF230N085T | MOSFET N-CH 85V 130A ISOPLUS I4 |
| IXTF250N075T | MOSFET N-CH 75V 140A ISOPLUS I4 |
| IXTF280N055T | MOSFET N-CH 55V 160A ISOPLUS I4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTD5N100A | 功能描述:MOSFET 5 Amps 1000V 2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTE250N10 | 功能描述:MOSFET 250 Amps 100V 0.005 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTF02N450 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 4500V 200MA I4PAK |
| IXTF03N400 | 功能描述:MOSFET HI VOLTAGE MOSFET N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTF1N400 | 功能描述:MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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