- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录461 > IXTC220N055T (IXYS)MOSFET N-CH 55V 130A ISOPLUS220 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXTC220N055T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 130A ISOPLUS220 |
| 产品目录绘图： | ISOPLUS220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 130A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.4 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 158nc @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS220? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS220? |
| 包装： | 管件 |
IXTC220N055T
75
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
75
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
70
R G = 5 Ω
70
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
I D = 25A
I D = 50A
V GS = 10V
V DS = 30V
65
60
55
50
45
40
35
30
25
R G = 5 Ω
V GS = 10V
V DS = 30V
T J = 25oC
T J = 125oC
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
25
30
35
40
45
50
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off Switch-
ing Times vs. Junction Temperature
160
65
65
90
140
120
100
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 30V
60
55
50
63
61
59
57
I D = 25A, 50A
86
82
78
74
55
70
80
60
40
20
I D = 50A, 25A
45
40
35
30
53
51
49
47
45
I D = 50A, 25A
t d(off) - - - -
t f
R G = 5 Ω , V GS = 10V
V DS = 30V
66
62
58
54
50
4
6
8
10
12
14
16
18
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
64
84
190
260
62
T J = 125oC
80
170
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
230
60
t f
t d(off) - - - -
76
150
V DS = 30V
200
58
R G = 5 Ω , V GS = 10V
72
56
54
V DS = 30V
68
64
130
110
I D = 25A
I D = 50A
170
140
52
60
90
110
50
56
48
46
T J = 25oC
52
48
70
50
80
50
24
28
32
36
40
44
48
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I D - Amperes
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
R G - Ohms
IXYS REF: T_220N055T(5V) 8-29-06-A.XLS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTC220N075T | MOSFET N-CH 75V 115A ISOPLUS220 |
| IXTC240N055T | MOSFET N-CH 55V 132A ISOPLUS220 |
| IXTC250N075T | MOSFET N-CH 75V 128A ISOPLUS220 |
| IXTC26N50P | MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220 |
| IXTC280N055T | MOSFET N-CH 55V 145A ISOPLUS220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTC220N075T | 功能描述:MOSFET 220 Amps 75V 4.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTC230N085T | 功能描述:MOSFET 136 Amps 85V 4.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTC240N055T | 功能描述:MOSFET 240 Amps 55V 3.3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTC250N075T | 功能描述:MOSFET 250 Amps 75V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTC26N50P | 功能描述:MOSFET 14.0 Amps 500 V 0.26 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。