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参数资料
| 型号： | IXTH13N80 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 800V 13A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | MegaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 800 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 170nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
IXTH 11N80
IXTM 11N80
IXTH 13N80
IXTM 13N80
18
Fig. 1 Output Characteristics
18
Fig. 2 Input Admittance
16
14
12
10
8
6
4
2
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
T J = 25°C
V DS = 10V
0
2
4
6
8
10
12
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V DS - Volts
Fig. 3 R DS(on) vs. Drain Current
V GS - Volts
Fig. 4 Temperature Dependence
of Drain to Source Resistance
1.40
1.35
1.30
1.25
1.20
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
T J = 25° C
V GS = 10V
2.50
2.25
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
18
I D - Amperes
Fig. 5 Drain Current vs.
Case Temperature
1.2
T J - Degrees C
Fig. 6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
16
14
12
10
8
6
4
2
0
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
V GS(th)
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T C - Degrees C
I XYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS Corporation
3540 Bassett Street, Santa Clara,CA 95054
Tel: 408-982-0700 Fax: 408-496-0670
T J - Degrees C
IXYS Semiconductor
Edisonstr. 15, D-68623 Lampertheim, Germany
Tel: +49-6206-5030 Fax: +49-6206-503629
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH14N100 | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 |
| IXTH14N80 | MOSFET N-CH 800V 14A TO-247 |
| IXTH150N17T | MOSFET N-CH 175V 150A TO-247 |
| IXTH152N085T | MOSFET N-CH 85V 152A TO-247 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH13N90 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH13P15 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH13P20 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH13P25 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH140P05T | 功能描述:MOSFET -140 Amps -50V 0.008 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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