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参数资料
| 型号： | IXTH200N085T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 85V 200A TO-247 |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 85V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 152nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
IXTA200N085T
IXTP200N085T
100
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
100
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
90
80
70
60
50
40
30
I D = 25A
I D = 50A
R G = 5 ?
V GS = 10V
V DS = 43V
90
80
70
60
50
40
30
R G = 5 ?
V GS = 10V
V DS = 43V
T J = 25oC
T J = 125oC
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
25
30
35
40
45
50
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
180
65
70
97
160
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
60
68
94
140
120
100
80
60
40
20
V DS = 43V
I D = 50A
I D = 25A
55
50
45
40
35
30
25
66
64
62
60
58
56
54
52
t f t d(off) - - - -
R G = 5 ? , V GS = 10V
V DS = 43V
I D = 25A
I D = 50A
91
88
85
82
79
76
73
70
4
6
8
10
12
14
16
18
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
72
105
200
320
70
68
66
T J = 25oC
100
95
90
180
160
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 43V
290
260
64
62
t f t d(off) - - - -
R G = 5 ? , V GS = 10V
T J = 125oC
85
80
140
120
I D = 50A
I D = 25A
230
200
60
V DS = 43V
75
58
70
100
170
56
T J =125oC
65
80
140
54
60
52
50
T J = 25oC
55
50
60
40
110
80
24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I D - Amperes
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
R G - Ohms
IXYS REF: T_200N085T (61) 11-20-06-A.xls
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH200N10T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH20N50D | 功能描述:MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH20N55 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH20N55MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-247(5) |
| IXTH20N55MB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-247(5) |
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