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参数资料
| 型号： | IXTH200N10T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 200A TO-247 |
| 产品目录绘图： | TO-247AD 3-Leads |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.5 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 152nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 550W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
TrenchMV TM Power
MOSFET
IXTH200N10T
IXTQ200N10T
V DSS
I D25
R DS(on)
= 100V
= 200A
≤ 5.5m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-247 (IXTH)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
T J = 25 ° C to 175 ° C
100
V
V DGR
V GSM
T J = 25 ° C to 175 ° C, R GS = 1M Ω
Transient
100
± 30
V
V
G
D
S
(TAB)
I D25
I LRMS
I DM
I A
T C = 25 ° C
Lead Current Limit, RMS
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
200
75
500
40
A
A
A
A
TO-3P (IXTQ)
E AS
P D
T J
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
1.5
550
-55 ... +175
J
W
° C
G
D
S
(TAB)
T JM
175
° C
T stg
T L
1.6mm (0.062in.) from case for 10s
Plastic body for 10 seconds
-55 ... +175
300
260
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
M d
Weight
Mounting torque
TO-247
TO-3P
1.13 / 10
6.0
5.5
Nm/lb.in.
g
g
Features
International standard packages
175°C Operating Temperature
Avalanche Rated
Low R DS(on)
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Advantages
Easy to mount
BV DSS
V GS(th)
V GS = 0V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 250 μ A
100
2.5
4.5
V
V
Space savings
High power density
I GSS
V GS = ± 20V, V DS = 0V
± 200 nA
Applications
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0V T J = 150 ° C
V GS = 10V, I D = 50A , Notes 1, 2
4.5
5 μ A
250 μ A
5.5 m Ω
Automotive
- Motor Drives
- High Side Switch
- 12V Battery
- ABS Systems
DC/DC Converters and Off-line UPS
Primary - Side Switch
High Current Switching Applications
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99654A(10/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTH20N60 | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD |
| IXTH220N055T | MOSFET N-CH 55V 220A TO-247 |
| IXTH220N075T | MOSFET N-CH 75V 220A TO-247 |
| IXTH230N085T | MOSFET N-CH 85V 230A TO-247 |
| IXTH240N055T | MOSFET N-CH 55V 240A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTH20N50D | 功能描述:MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTH20N55 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-218VAR |
| IXTH20N55MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-247(5) |
| IXTH20N55MB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-247(5) |
| IXTH20N60 | 功能描述:MOSFET 20 Amps 600V 0.35 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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